MMBT7002DW

Diotec Semiconductor
637-MMBT7002DW
MMBT7002DW

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.115A, 150C, N

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CHF 0.142 CHF 1.42
CHF 0.119 CHF 11.90
CHF 0.095 CHF 47.50
CHF 0.083 CHF 83.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.063 CHF 189.00
CHF 0.041 CHF 369.00
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Diotec Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-363
N-Channel
2 Channel
60 V
115 mA
7.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
- 55 C
+ 150 C
200 mW
Enhancement
MMBT7002DW
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diotec Semiconductor
Konfiguration: Dual
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 80 mS
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: MMBT-MOSFET
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 20 ns
Gewicht pro Stück: 30 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:
8541210095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode FETs

Diotec Semiconductor MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode FETs offer ESD-protected gate fast switching times ideal for signal processing, logic level converter, and driver applications. The MMBT7002K features a 60V drain-source voltage, 20V gate-source voltage, and 350mW power dissipation. The devices are available in a SOT-23 package and operate at an -55C to 150C junction temperature. The Diotec MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode FETs are compliant with RoHS, REACH, and conflict minerals.