DIT090N06

Diotec Semiconductor
637-DIT090N06
DIT090N06

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 65V, 90A, 175C, N

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Diotec Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
65 V
90 A
5.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.9 V
94 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
DIT090N06
Tube
Marke: Diotec Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 50 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 11 ns
Serie: DIT0/1
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 26 ns
Gewicht pro Stück: 2,820 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.