DI150N03PQ

Diotec Semiconductor
637-DI150N03PQ
DI150N03PQ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
Nicht auf Lager
Lieferzeit ab Hersteller:
Minimum: 5000   Vielfache: 5000
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
CHF 0.50 CHF 2 500.00
CHF 0.431 CHF 4 310.00
CHF 0.423 CHF 10 575.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Diotec Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerQFN 5x6
N-Channel
1 Channel
30 V
150 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
1.6 V
1.607 uC
- 55 C
+ 150 C
86 W
Enhancement
DI150N03PQ
Reel
Marke: Diotec Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 61 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 71 ns
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 135 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 33 ns
Gewicht pro Stück: 200 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:
8541210095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

DIxxNxx-PQ N-Channel Power MOSFETs

Diotec Semiconductor DIxxNxx-PQ N-Channel Power MOSFETs are packaged in a compact 5mm x 6mm Power QFN package and operate in a -55°C to +150°C junction temperature range. At nominal 80A to 110A and 40V/60V/100V, these MOSFETs feature low on-state resistance, fast switching times, and low thermal resistance. The low gate threshold voltage allows for the logic level drive, while its very low gate charge and output charge reduce power losses and improve overall efficiency. Commercial, industrial, and automotive application uses include DC-DC converters, synchronous rectifiers, power tools, and more. The suffix -AQ stands for fully AEC-Q101 qualified parts.