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DI030N03D1

Name: Diotec Semiconductor DI030N03D1
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI030N03D1
Price: 0.61 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DI030N03D1

Herst.- Nr.:

DI030N03D1

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 30A, 175C, N

Datenblatt:

DI030N03D1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.61 CHF	0.61 CHF
	0.478 CHF	4.78 CHF
	0.286 CHF	28.60 CHF
	0.283 CHF	141.50 CHF
	0.275 CHF	275.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.242 CHF	605.00 CHF
	0.229 CHF	1 145.00 CHF
	0.196 CHF	1 960.00 CHF
	0.193 CHF	4 825.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252AA-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	17.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DI030N03D1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	26 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	DI0XX
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns
Gewicht pro Stück:	433 mg

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Datenblatt

DI030N03D1 Datenblatt (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.