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BIDW50N65T

Name: Bourns BIDW50N65T
Brand: Bourns
SKU: 652-BIDW50N65T
Price: 4.09 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

652-BIDW50N65T

Herst.- Nr.:

BIDW50N65T

Herst.:

Bourns

Beschreibung:

IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247

Datenblatt:

BIDW50N65T Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Bourns
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	100 A
Pd - Verlustleistung:	416 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	BID
Verpackung:	Tube
Marke:	Bourns
Kollektorgleichstrom Ic max.:	100 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

BIDW50N65T Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Elektrifizierungslösungen

Bourns Elektrifizierungslösungen umfassen eine umfassende Auswahl von Transformatoren, Drosseln, Dioden, Widerständen, Sicherungen, Transistoren und Varistoren. Diese Produkte sind für Systeme konzipiert, die bei der Elektrifizierung eingesetzt werden, d. h. der Übergang von herkömmlichen Energiequellen wie Öl und Gas zu saubereren und nachhaltigeren Energieformen. Die Elektrifizierung wirkt sich auf die Art und Weise aus, wie Autos getankt, Wohnhäuser beheizt und Industrien angetrieben werden, wobei das Endziel darin besteht, die Luftverschmutzung und den Energieabfall zu reduzieren. Ein Beispiel ist eine Wärmepumpe, die bis zu dreimal effizienter ist als ein Kessel, um Heizrechnungen zu sparen.

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode des Modells BID

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) von Bourns kombinieren die Technologie eines MOSFET-Gates und eines Bipolartransistors und sind für Hochspannungs-/Hochstromanwendungen konzipiert. Die IGBTs des Modells BID verwenden eine fortschrittliche Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, um eine bessere Steuerung der dynamischen Eigenschaften zu bieten, was zu einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und weniger Schaltverluste führt. Die IGBTs verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C und sind in TO-252-, TO-247- und TO-247N-Gehäusen verfügbar. Diese thermisch effizienten Bauelemente bieten einen geringeren thermischen Widerstand, wodurch sie sich für IGBT-Lösungen für Schaltnetzteile (SNT), unterbrechungsfreie Stromquellen (USV) und Blindleistungskompensations-Applikationen (PFC) eignen.