AS3001316-035nX0PTAY

Avalanche Technology
793-31316035NX0PTAY
AS3001316-035nX0PTAY

Herst.:

Beschreibung:
MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

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Avalanche Technology
Produktkategorie: MRAM
RoHS:  
TSOP-44
Parallel
1 Mbit
64 k x 16
16 bit
35 ns
2.7 V
3.6 V
12 mA
- 40 C
+ 105 C
AS3001316
Tray
Marke: Avalanche Technology
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: MRAM
Verpackung ab Werk: 135
Handelsname: STT-MRAM, MRAM
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Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.