ARPS1050A5ENQ-R

Apogee Semiconductor
444-ARPS1050A5ENQ-R
ARPS1050A5ENQ-R

Herst.:

Beschreibung:
Leistungsschalter IC - Leistungsverteiler LEO 50 V Radiation Tolerant Power Switch , NiPdAu, QFN24

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
Nicht auf Lager
Lieferzeit ab Hersteller:
4 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.
Minimum: 250   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:
Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
344.15 CHF 86 037.50 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Apogee Semiconductor
Produktkategorie: Leistungsschalter IC - Leistungsverteiler
RoHS:  
50 V
SMD/SMT
QFN-24
Marke: Apogee Semiconductor
Produkt: Power Switch
Produkt-Typ: Power Switch ICs - Power Distribution
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Switch ICs
Gewicht pro Stück: 95 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
TARIC:
8542399000
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

ARPS10 Power Switch ICs

Apogee Semiconductor ARPS10x0A5 Power Switch ICs are ideal for space, medical imaging, and other applications demanding radiation tolerance and high reliability. The radiation-hardened power switches are fabricated using a BiCMOS process that incorporates proprietary techniques. The Apogee ARPS10x0A5 Power Switch ICs offer high resilience to Single-Event Effects (SEE) and Total Ionizing Dose (TID), which are commonly discovered in both Low Earth Orbit (LEO) and Geostationary Earth Orbit (GEO) environments.

EMPFOHLENE PRODUKTE
APOGEE SEMICONDUCTOR