AS6C3216A-55BIN

Alliance Memory
913-AS6C3216A-55BIN
AS6C3216A-55BIN

Herst.:

Beschreibung:
SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT

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Alliance Memory
Produktkategorie: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
55 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TFBGA-48
Tray
Marke: Alliance Memory
Speichertyp: SDR
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SRAM
Serie: AS6C3216A-55
Verpackung ab Werk: 220
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Typ: Asynchronous
Gewicht pro Stück: 4,605 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Taiwan
Land der Verbreitung:
China
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.