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AS4C8M16MSA-6BIN

Name: Alliance Memory AS4C8M16MSA-6BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C8M16MSA-6BIN
Price: 6.92 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-AS4C8M16MSA-6BIN

Herst.- Nr.:

AS4C8M16MSA-6BIN

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT

Datenblatt:

AS4C8M16MSA-6BIN Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	6.92 CHF	6.92 CHF
	6.44 CHF	64.40 CHF
	6.25 CHF	156.25 CHF
	6.09 CHF	304.50 CHF
	5.96 CHF	596.00 CHF
	5.71 CHF	1 427.50 CHF
	5.56 CHF	2 780.00 CHF
	5.41 CHF	5 177.37 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM Mobile
Speichergröße:	128 Mbit
Datenbus-Weite:	16 bit
Maximale Taktfrequenz:	166 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-54
Organisation:	8 M x 16
Zugangszeit:	5.5 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	AS4C8M16MSA-6
Verpackung:	Tray
Marke:	Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	319
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	50 mA
Gewicht pro Stück:	3,188 g

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Datenblatt

AS4C8M16MSA-6BIN Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

AS4C32M16MS / AS4C16M32MS stromsparende Mobil-SDRAMs

Die stromsparenden 512M Mobil-SDRAMs (MSDR) AS4C32M16MS und AS4C16M32MS von Alliance Memory sind schnelle CMOS-DDR2-DRAMs. Es sind synchrone DRAMs mit vier Speicherbanken und entweder mit Anordnungen von 4 Banken x 8 Mbit x 16 oder 4 Banken x 4 Mbit x 32 erhältlich. Durch die Verwendung einer speziellen Chip-Architektur können die AS4C32M16MS / AS4C16M32MS Daten mit einer Geschwindigkeit von bis zu 166 MHz uploaden. Diese Chip-Architektur ruft zahlreiche Bits im voraus ab und synchronisiert die Outputdaten mit einer Systemuhr. Alle Steuerungs-, Anwahl-, Daten-Ein- und -ausgangsschaltkreise werden mit der ansteigenden Flanke eines externen Takts synchronisiert.
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