AS4C32M8SA-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C32M8SA7TCN
AS4C32M8SA-7TCN

Herst.:

Beschreibung:
DRAM SDRAM, 256M, 32M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II, 143 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 9 879

Lagerbestand:
9 879 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
6 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
5.85 CHF 5.85 CHF
5.44 CHF 54.40 CHF
5.28 CHF 132.00 CHF
5.15 CHF 257.50 CHF
5.04 CHF 544.32 CHF
4.90 CHF 1 058.40 CHF
4.84 CHF 2 613.60 CHF
4.74 CHF 5 119.20 CHF
2 592 Kostenvoranschlag

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Alliance Memory
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
8 bit
143 MHz
TSOP-II-54
32 M x 8
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C32M8SA
Tray
Marke: Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Verpackung ab Werk: 108
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.: 55 mA
Gewicht pro Stück: 2,171 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Taiwan
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.