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AS4C32M16D2C-25BINTR

Name: Alliance Memory AS4C32M16D2C-25BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-C32M16D2C25BINTR
Price: 2.52 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-C32M16D2C25BINTR

Herst.- Nr.:

AS4C32M16D2C-25BINTR

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel

Datenblatt:

AS4C32M16D2C-25BINTR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM - DDR2
Speichergröße:	512 Mbit
Datenbus-Weite:	16 bit
Maximale Taktfrequenz:	400 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-84
Organisation:	32 M x 16
Zugangszeit:	400 ps
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.9 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 95 C
Verpackung:	Reel
Marke:	Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	75 mA

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Datenblatt

AS4C32M16D2C-25BINTR Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320032
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.