Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

AS4C128M32MD2A-18BIN

Name: Alliance Memory AS4C128M32MD2A-18BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C12832MD2A18BIN
Price: 14.79 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-4C12832MD2A18BIN

Herst.- Nr.:

AS4C128M32MD2A-18BIN

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tray

Datenblatt:

AS4C128M32MD2A-18BIN Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Alliance Memory AS4C128M32MD2A-18BIN

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 20 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 14.79	CHF 14.79
	CHF 13.72	CHF 137.20
	CHF 13.29	CHF 332.25
	CHF 12.97	CHF 648.50
	CHF 12.41	CHF 1 241.00
	CHF 12.09	CHF 2 067.39
	CHF 11.90	CHF 6 104.70

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM Mobile - LPDDR2
Speichergröße:	4 Gbit
Datenbus-Weite:	32 bit
Maximale Taktfrequenz:	533 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-134
Organisation:	128 M x 32
Zugangszeit:	18 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.14 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	AS4C128M32MD2A-18
Verpackung:	Tray
Marke:	Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	171
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	130 mA
Gewicht pro Stück:	36.420 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

AS4C128M32MD2A-18BIN Datenblatt (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR2 SDRAM

Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1, and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.

Stromsparender DDR2-SDRAM

Alliance stromsparende DDR2-SDRAM-Speicher sind Hochgeschwindigkeits-CMOS- und Dynamic-Access-Speicher, die intern als 8-Bank-Speicher konfiguriert sind. Diese DDR2-SDRAM verfügen über 4-Bit-Prefetch-DDR-Architektur, programmierbare Lese- und Schreib-Latenzen, automatische temperaturkompensierte Selbstauffrischung (TCSR) und Taktstopp-Fähigkeit. Der DDR2-SDRAM reduziert die Anzahl der Eingangspins im System durch Verwendung einer Architektur mit doppelter Datenrate auf dem Befehls-/Adressbus (CA-Bus). Diese CA-Bus dient zur Übertragung von Adress-, Befehls- und Bankdaten. Dieser DDR2-SDRAM kann einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb erreichen, indem eine Architektur mit doppelter Datenrate an den DQ-Pins (bidirektionaler/differenzieller Datenbus) verwendet wird.