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ALD910019SALI

Name: Advanced Linear Devices ALD910019SALI
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD910019SALI
Price: 5.4 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

585-ALD910019SALI

Herst.- Nr.:

ALD910019SALI

Herst.:

Advanced Linear Devices

Beschreibung:

MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V

Datenblatt:

ALD910019SALI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Advanced Linear Devices
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	10.6 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	300 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.92 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Advanced Linear Devices
Konfiguration:	Dual
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	74 mg

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Datenblatt

ALD910019SALI Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

ALD8100xx/ALD9100xx Quad/Dual SAB™ MOSFET Arrays

Advanced Linear Devices ALD8100xx/ALD9100xx Quad/Dual SAB™ MOSFET Arrays are built with production-proven EPAD® technology. The ALD8100xx/ALD9100xx Supercapacitor Auto Balancing (SAB) addresses voltage and leakage-current balancing of supercapacitors connected in series. Supercapacitors, also known as ultracapacitors or super caps, connected in series can be leakage-current balanced by using a combination of one or more devices connected across each supercapacitor stack to prevent over-voltages.