ALD210800ASCL

Name: Advanced Linear Devices ALD210800ASCL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD210800ASCL
Price: 9.91 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

585-ALD210800ASCL

Herst.- Nr.:

ALD210800ASCL

Herst.:

Advanced Linear Devices

Beschreibung:

MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Datenblatt:

ALD210800ASCL Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Advanced Linear Devices
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	10.6 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	20 mV
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Advanced Linear Devices
Konfiguration:	Quad
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	ALD210800A
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	4 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	666 mg

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Datenblatt

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110800A/ALD110800 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, the ALD210800/ALD210800A features Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels.
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