Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IKW50N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW50N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW50N65ET7XKSA1
Price: 3.62 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKW50N65ET7XKSA1

Herst.- Nr.:

IKW50N65ET7XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Datenblatt:

IKW50N65ET7XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IKW50N65ET7XKSA1

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 605

125

Anstehend

480

erwartet ab 09.04.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 26

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	3.62 CHF	3.62 CHF
	2.22 CHF	22.20 CHF
	1.83 CHF	183.00 CHF
	1.74 CHF	835.20 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.35 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	80 A
Pd - Verlustleistung:	273 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	IGBT7 T7
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKW50N65ET7 SP005348292

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IKW50N65ET7XKSA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Industrieantriebe

Infineon Industrial Drives bietet ein breites Portfolio an effizienten Halbleitern, die für Motorantriebe optimiert sind. Für intelligente Designs im Niedrigstrombereich kann der Entwickler auf intelligente Power-Module (IPMs) und diskrete Schaltkreise von Infineon zurückgreifen. Die EasyPIM™, EasyPACK™ und EconoPIM™ Module von Infineon eignen sich hervorragend für Antriebe mit mittlerer Leistung. EconoDUAL™ und PrimePACK™ sind die Lösungen der Wahl, wenn es um das Hochleistungsspektrum geht. Diese werden mit der innovativen .XT-Verbindungstechnologie kombiniert. PrimePACK-Module können Entwicklern dabei helfen, das Dilemma der Überlastung zu überwinden, indem sie die Lebensdauer durch erhöhte thermische und stromabhängige Belastbarkeit verlängern.

Verlustarme Duopack-IGBTs

Infineon Technologies Verlustarme Duopack-IGBTs bieten ein feuchtigkeitsbeständiges Design mit Trenchstop™- und Fieldstop™-Technologie. Die verlustarmen Duopack-IGBTs verfügen über eine sehr sanfte und schnelle antiparallele Freilaufdiode, einen kurzen Nachlaufstrom und eine sehr niedrige V_CEsat.

IGBT7 Diskrete Bauteile

Die IGBT7 Discretes von Infineon Technologies sind die 7. Generation der TRENCHSTOP™ -IGBTs, die mit der Micro-Pattern-Trench-Technologie entwickelt wurden. Die fortschrittliche Technologie bietet eine beispiellose Steuerung und Leistung, was zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer erhöhten Leistungsdichte in Applikationen führt.