Qorvo / UnitedSiC
UnitedSiC, von Qorvo übernommen, entwickelt innovative Siliziumkarbid-FET- und Dioden-Leistungshalbleiter, die den branchenweit besten SiC-Wirkungsgrad und die beste Leistung für Elektrofahrzeug-Ladegeräte (EV), DC/DC-Wandler und Traktionsantriebe sowie Telekommunikations-/Servernetzteile, Motorantriebe mit variabler Geschwindigkeit und Solar-Photovoltaik-Wechselrichter (PV) liefern.
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Empfohlene Produkte von Qorvo / UnitedSiC
750 V UJ4C/SC-SiC-FETs im D2PAK-7L-Gehäuse
Extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Sperrverzögerungs-Eigenschaften in einem D2PAK-7L-Gehäuse.
UF4C/SC 1.200-V-SiC-FETs der 4. Generation
1.200-V-SiC-FETs mit RDS(on) von 23 mΩ bis 70 mΩ und branchenführenden Gütezahlen.
UF3N170400B7S SiC-Normally-on-JFET von 1.700 V bis 400 mW
Zeichnet sich durch einen äußerst niedrigen On-Widerstand und eine extrem geringe Gate-Ladung aus und ermöglicht dadurch geringe Leitungs- und Schaltverluste.
UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC-FETs
750 VDS -Siliziumkarbid-FETs, die in den Optionen 5 mΩ bis 60 mΩ mit extrem niedrigem RDS(on) x EOSS verfügbar sind.