IGBT7 S7 TRENCHSTOP™

L'IGBT7 S7 TRENCHSTOP™ di Infineon Technologies offre un ampio portafoglio da 1.200 V per tutte le applicazioni industriali che richiedono capacità di cortocircuito e robustezza. L'IGBT7 S7 è un IGBT discreto, efficiente e robusto in condizioni di cortocircuito, che offre una tensione di saturazione almeno del 10% inferiore rispetto ad altri.

Risultati: 19
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Scheda dati
1 112A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Scheda dati
551A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Scheda dati
305A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Scheda dati
1 570A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Scheda dati
1 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Scheda dati
999A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 71 A 125 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Scheda dati
715A magazzino
285In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.92 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Scheda dati
1 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.93 V 20 V 71 A 250 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Scheda dati
1 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.94 V 20 V 97 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Scheda dati
1 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.94 V 20 V 107 A 429 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Scheda dati
24029.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Scheda dati
928A magazzino
72010.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Scheda dati
1 708A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Scheda dati
924A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Scheda dati
479A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Scheda dati
475A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Scheda dati
120A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Scheda dati
1 000In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 85 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Scheda dati
1 000In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 20 V 97 A 429 W - 40 C + 175 C Tube