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µModule Bipolartransistoren - BJT

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Handelsname = µModule

Hersteller

Technologie

Montageart

Verpackung/Gehäuse

Transistorpolung

Konfiguration

Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)

Kollektor-Emitterspannung VCEO max.

Kollektor-Basisspannung VCBO

Emitter-Basisspannung VEBO

Sättigungsspannung Kollektor-Emitter

Pd - Verlustleistung

Bandbreitengewinnungsprodukt fT

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Qualifikation

Serie

Verpackung

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2-21F1A-3
2-3S1C-3
2-5K1A-3
2-7J1A-3
CFP15B-3
CLCC-3
CLCC-4
CPH-3
CPH-5
CPT-3
CST-3
ChipFET-8
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DFN-0606-3
DFN-1006-3
DFN-1006B-3
DFN-1006H4-3
DFN-1010B-6

0 A
3 mA
10 mA
15 mA
20 mA
25 mA
30 mA
40 mA
50 mA
60 mA
80 mA
100 mA
122 mA
150 mA
200 mA
200 mA, 500 mA
225 mA
250 mA
300 mA
500 mA

- 80 V
6 V
6 V, 30 V
10 V
11 V
12 V
12 V, 50 V
15 V
15 V, 12 V
17.5 V
18 V
20 V
25 V
30 V
30 V, 50 V
30 V, 6 V
32 V
35 V
36 V
40 V

- 100 V
5 V
6 V, 30 V
10 V
12 V
15 V
15 V, 12 V
15 V, 60 V
18 V
20 V
20 V, 12 V
25 V
30 V
30 V, 25 V
30 V, 6 V
32 V
35 V
35 V, 50 V
36 V
40 V

- 5 V
1 V
1.5 V
2 V
2.5 V
3 V
3.5 V
4 V
4.5 V
4.5 V, 3 V
5 V
5 V, 4 V
5 V, 6 V
5 V, 60 V
5.5 V
5.5 V, 6 V
6 V
6 V, 5 V
6 V, 7 V
6.5 V

150 uV
16.5 mV
30 mV
33 mV
42 mV
50 mV
55 mV
60 mV
65 mV
70 mV
70 mV, 100 mV
72 mV
75 mV
80 mV
82 mV
82 mV, 135 mV
85 mV
85 mV, 110 mV
90 mV
90 mV, 100 mV

30 mW
100 mW
120 mW
125 mW
130 mW
150 mW
150 mW, 150 mW
166 mW
167 mW
200 mW
225 mW
230 mW
235 mW
246 mW
250 mW
260 mW
265 mW
270 mW
275 mW
280 mW

0 Hz
400 kHz
500 kHz
800 kHz
1 MHz
1.5 MHz
2 MHz
2.5 MHz
3 MHz
4 MHz
5 MHz
6 MHz
8 MHz
9 MHz
10 MHz
11 MHz
12 MHz
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15 MHz

300
320
340
40347
15C01M
2DA12
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2DB11
2DB13
2DB17
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2N
2N/2/3/4/5
2N1131A
2N1131B
2N1480