R1RW0416DGE-2PR#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0416DGE-2PR#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0416DGE2PRB1
Price: 11.23 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

968-R1RW0416DGE2PRB1

Herst.- Nr.:

R1RW0416DGE-2PR#B1

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

R1RW0416DGE-2PR#B1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	4 Mbit
Organisation:	256 k x 16
Zugangszeit:	12 ns
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsstrom - Max.:	130 mA
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOJ-44
Verpackung:	Tray
Marke:	Renesas Electronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Speichertyp:	SRAM
Produkt-Typ:	SRAM
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	High Speed

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USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
ECCN:: EAR99

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics asynchrone SRAMs basieren auf der leistungsstarken CMOS-Technologie mit hoher Zuverlässigkeit. Die Technologie und innovative Schaltungsdesign-Techniken bieten eine kostengünstige LÖSUNG für asynchrone Hochgeschwindigkeits-SRAM-Speicheranforderungen. Vollständig statische asynchrone Schaltungen erfordern keine Takte oder Aktualisieren für den Betrieb. Der Renesas liefert einen asynchronen SRAM in einem RoHS-6/6-compliant-Gehäuse (umweltfreundlich) mit Industriestandard-Gehäuseoptionen.