DMTH6010LK3Q-13

Diodes Incorporated
621-DMTH6010LK3Q-13
DMTH6010LK3Q-13

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A

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Preis (CHF)

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CHF 0.654 CHF 65.40
CHF 0.535 CHF 267.50
CHF 0.469 CHF 469.00
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
70 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
41.3 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 9.7 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4.3 ns
Serie: DMTH6010
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 23.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5.7 ns
Gewicht pro Stück: 340 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMTH6010LK3Q n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Der n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET DMTH6010LK3Q von Diodes Inc. wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Anwendungen in der Automobilindustrie zu erfüllen. Dieser MOSFET ist produktionsseitig 100 % UIS-geprüft (Unclamped Inductive Switching), was eine bewährte und robuste Endanwendung gewährleistet. Der DMTH6010LK3Q MOSFET ist für hohe Umgebungstemperaturen geeignet und auf 175 °C eingestuft. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungssystemen, in der Karosseriesteuerungselektronik und in DC-DC-Wandlern. Der DMTH6010LK3Q MOSFET ist PPAP-fähig (Produktionsteil-Abnehmverfahren) und nach AEC-Q101 zugelassen.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.