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SQJ152ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ152ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ152ELP-T1_GE3
Price: 1.18 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ152ELP-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ152ELP-T1_GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

Datenblatt:

SQJ152ELP-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.18 CHF	1.18 CHF
	0.746 CHF	7.46 CHF
	0.495 CHF	49.50 CHF
	0.387 CHF	193.50 CHF
	0.352 CHF	352.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.308 CHF	924.00 CHF
	0.292 CHF	1 752.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	123 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.1 ns
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.5 ns
Gewicht pro Stück:	187 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SQJ152ELP Automotive-MOSFET

Der Vishay SQJ152ELP Automotive-MOSFET verfügt über ein Gehäuse mit drahtlosem Design, das die Drainstrombelastbarkeit des MOSFETs erhöht und seinen thermischen Widerstand reduziert. Dieser MOSFET implementiert die 40-V-TrenchFET^®-Gen-IV-Technologie und verfügt über eine verbesserte Zuverlässigkeit auf Boardebene. Der SQJ152ELP MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und bietet externe Knickflügelleitungen, die für eine maximale Entlastung bei extremer thermischer und mechanischer Belastung ausgelegt sind. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in Solid State Relais, High-Side-Schaltern, Motorantriebssteuerungen und weiteren Sicherheits- und Komfortsystemen.

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.