TK110U65Z,RQ

Toshiba
757-TK110U65ZRQ
TK110U65Z,RQ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

ECAD Model:
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2.81 CHF 28.10 CHF
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
2-10AF1A-9
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
86 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 18 ns
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 45 ns
Gewicht pro Stück: 750 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

Hochspannungs-DTMOS-VI-MOSFETs im TOLL-Gehäuse

Toshiba DTMOSVI Hochspannungs-MOSFETs im TOLL-Gehäuse verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rdson) und Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität. Dadurch eignen sie sich hervorragend für Schaltnetzteil-Applikationen. Diese DTMOSVI der neuesten Generation bietet den niedrigsten Gütefaktor RDS(ON)xQgd und ist im neuen TOLL-Gehäuse (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) mit einer Kelvin-Quellenverbindung zur Reduzierung von Einschalt- und Ausschaltverlusten untergebracht.