Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SI7846DP-T1-E3

Name: Vishay SI7846DP-T1-E3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7846DP-E3
Price: 2.78 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI7846DP-E3

Herst.- Nr.:

SI7846DP-T1-E3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs SOT669 150V 24.5A N-CH MOSFET

Datenblatt:

SI7846DP-T1-E3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay Semiconductors SI7846DP-T1-E3

Auf Lager: 3 634

Lagerbestand:: 3 634 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 3 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.78 CHF	2.78 CHF
	1.81 CHF	18.10 CHF
	1.41 CHF	141.00 CHF
	1.16 CHF	580.00 CHF
	1.11 CHF	1 110.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.04 CHF	3 120.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	50 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	30 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.9 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	SI7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	SI7846DP-E3
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SI7846DP-T1-E3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SI78 N-Kanal-MOSFETs (D-S)

Die N-Kanal-MOSFETs (D-S) SI78 von Vishay Semiconductors sind in einem neuen PowerPAK^®-Gehäuse mit geringem Wärmewiderstand und einer geringen Bauhöhe von 1,07 mm erhältlich. Diese N-Kanal-MOSFETs (D-S) sind PWM-optimiert, zu 100 % nach R_g getestet, halogenfrei und RoHS-konform. Die MOSFETs SI78 werden in DC/DC-Wandlern, primärseitigen Schaltern für DC/DC-Applikationen und synchronen Gleichrichtern eingesetzt.