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NGTB25N120FL3WG

Name: onsemi NGTB25N120FL3WG
Brand: onsemi
SKU: 863-NGTB25N120FL3WG
Price: 6.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NGTB25N120FL3WG

Herst.- Nr.:

NGTB25N120FL3WG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS

Datenblatt:

NGTB25N120FL3WG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.7 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	50 A
Pd - Verlustleistung:	349 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	NGTB25N120FL3
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kriechstrom Gate-Emitter:	200 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	4,083 g

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Datenblatt

NGTB25N120FL3WG Datenblatt

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vietnam
Herstellungsland:: Vietnam
Land der Verbreitung:: Tschechische Republik

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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