IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW15N120BH6XKSA
IKW15N120BH6XKSA1

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs INDUSTRY

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.9 V
- 20 V, 20 V
30 A
200 W
- 40 C
+ 175 C
TRENCHSTOP IGBT6
Tube
Marke: Infineon Technologies
Kollektorgleichstrom Ic max.: 30 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 600 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 240
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: TRENCHSTOP
Artikel # Aliases: IKW15N120BH6 SP001666618
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Deutschland
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Deutschland
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

1.200 V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1.200 V TRENCHSTOP™ IGBT6 sind zur Erfüllung der Anforderungen eines hohen Wirkungsgrades sowie geringen Leitungs- und Schaltverlusten ausgelegt. Diese TRENCHSTOP IGBT6 verfügen über eine niedrige Gate-Ladung, niedrige elektromagnetische Störungen (EMI), eine einfache Parallelfunktion, einen hohen Wirkungsgrad in harten Schaltungen und Resonanz-Topologien. Die TRENCHSTOP IGBT6 kommen mit zwei verschiedenen Produktfamilien auf den Markt und werden als S6-Baureihe, die für niedrige Leitungsverluste optimiert ist und als H6-Baureihe, die für verbesserte Schaltverluste ausgelegt ist, bereitgestellt. Diese IGBT6 sind ein einfacher Plug-and-Play-Ersatz der HighSpeed3-H3-Vorgänger-IGBTs. Der TRENCHSTOP IGBT6 implementiert die Trench- und Fieldstop-Technologie zusammen mit einer antiparallelen Diode für die weiche und schnelle Wiederherstellung. Diese 1200 V TRENCHSTOP IGBT6 erreichen eine einfache Parallelfunktion aufgrund eines positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat. Typische Applikationen umfassen eine industrielle USV, einen Energiespeicher, einen dreistufigen Solar-Stringwechselrichter und Schweißung.