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IKW15N120BH6XKSA1

Name: Infineon IKW15N120BH6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW15N120BH6XKSA
Price: 2.91 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKW15N120BH6XKSA

Herst.- Nr.:

IKW15N120BH6XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs INDUSTRY

Datenblatt:

IKW15N120BH6XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	2.91 CHF	2.91 CHF
	1.84 CHF	18.40 CHF
	1.49 CHF	149.00 CHF
	1.12 CHF	537.60 CHF
	1.03 CHF	1 236.00 CHF
	0.977 CHF	2 579.28 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.9 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	30 A
Pd - Verlustleistung:	200 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	TRENCHSTOP IGBT6
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Kollektorgleichstrom Ic max.:	30 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	600 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKW15N120BH6 SP001666618
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IKW15N120BH6XKSA1 Datenblatt (PDF)

Models

IKW15N120BH6XKSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

1.200 V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1.200 V TRENCHSTOP™ IGBT6 sind zur Erfüllung der Anforderungen eines hohen Wirkungsgrades sowie geringen Leitungs- und Schaltverlusten ausgelegt. Diese TRENCHSTOP IGBT6 verfügen über eine niedrige Gate-Ladung, niedrige elektromagnetische Störungen (EMI), eine einfache Parallelfunktion, einen hohen Wirkungsgrad in harten Schaltungen und Resonanz-Topologien. Die TRENCHSTOP IGBT6 kommen mit zwei verschiedenen Produktfamilien auf den Markt und werden als S6-Baureihe, die für niedrige Leitungsverluste optimiert ist und als H6-Baureihe, die für verbesserte Schaltverluste ausgelegt ist, bereitgestellt. Diese IGBT6 sind ein einfacher Plug-and-Play-Ersatz der HighSpeed3-H3-Vorgänger-IGBTs. Der TRENCHSTOP IGBT6 implementiert die Trench- und Fieldstop-Technologie zusammen mit einer antiparallelen Diode für die weiche und schnelle Wiederherstellung. Diese 1200 V TRENCHSTOP IGBT6 erreichen eine einfache Parallelfunktion aufgrund eines positiven Temperaturkoeffizienten in V_CEsat. Typische Applikationen umfassen eine industrielle USV, einen Energiespeicher, einen dreistufigen Solar-Stringwechselrichter und Schweißung.