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DMTH10H1M7SPGWQ-13

Name: Diodes Incorporated DMTH10H1M7SPGWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MTH10H1M7SPGWQ13
Price: 1.95 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

621-MTH10H1M7SPGWQ13

Herst.- Nr.:

DMTH10H1M7SPGWQ-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI8080-5 T&R 2K

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Verpackung:	Reel
Marke:	Diodes Incorporated
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DMTH4M70SPGWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Der Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET ist ein Automotive-konformer 40-V-MOSFET, der bei einem Gate-Drive von 10 V und einer Gate-Ladung von 117 nC über einen typischen R_DS(ON) von 0,54 mΩ verfügt. Das DMTH4M70SPGWQ wird in einem innovativen, thermisch effizienten Hochstrom-PowerDI®-8080-5-Leistungsgehäuse angeboten und eignet sich hervorragend für Elektrofahrzeugapplikationen (EV). Der AEC-Q101-qualifizierte DMTH4M70SPGWQ MOSFET von Diodes Incorporated unterstützt Designer von Automotive-Hochleistungs-BLDC-Motorantrieben, DC/DC-Wandlern und Ladesystemen bei der Maximierung des Systemwirkungsgrads und gleichzeitiger Gewährleistung einer minimalen Verlustleistung. Das Bauteil bietet eine Betriebstemperatur von bis zu +175 °C.