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ams OSRAM Chip-LED™ SFH 2707 Breitband-Fotodioden

Chip LED™ SFH 2707 Hochleistungs-Breitband-Fotodioden von Ams OSRAM sind für Applikationen von 400 nm bis 1.100 nm optimiert. Diese Bauteile verfügen über ein verbessertes Verhältnis von aktiver Fläche zu Gehäuse und liefern einen um bis zu 24 % höheren Fotostrom bei allen Wellenlängen, während der mechanische und elektrische Footprint im Vergleich zu den Vorgängergenerationen gleich bleibt. Die erstklassige Empfindlichkeit des Chip LED SFH 2707 von ams OSRAM vereint Zuverlässigkeit, kompakte Abmessungen und eine überlegene optische Leistung zur Überwachung von Vitalzeichen. Dieses Bauteil eignet sich perfekt für die Überwachung von Vitalfunktionen, Unterhaltungselektronik, Industrie-/Sicherheitssysteme und vieles mehr.

Merkmale

  • Klarsicht-Epoxidgehäuse
  • 2 kV ESD gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM)
  • Geeignet für Reflow-Löten
  • Besonders geeignet für Applikationen von 400 nm bis 1.100 nm
  • Kleine Außenabmessungen
  • Verbessertes Verhältnis von aktiver Fläche zu Gehäuse
  • Eine zusätzliche Option mit rauer Oberflächenstruktur (SFH 2.707 H)

Applikationen

  • Digitale Diagnosegeräte
  • Vitalparameterüberwachung
  • Industrie- und Sicherheits-Röntgen
  • Unterhaltungselektronik
  • Haushaltsgeräte und Werkzeuge

Technische Daten

  • 940 nm (typ.) Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit (λSmax)
  • 400 nm bis 1.100 nm (typ.) spektraler Empfindlichkeitsbereich (λ10 %)
  • Fotostrom (IP)
    • 1,7 µA (typ.) (Ee = 0,1 mW/cm2; λ = 530 nm; VR = 5 V)
    • 2,1 µA (typ.) (Ee = 0,1 mW/cm2; λ = 655 nm; VR = 5 V)
    • 2,7 µA (typ.) (Ee = 0,1 mW/cm2; λ = 940 nm; VR = 5 V)
  • 4,29 mm2 (typ.) strahlungsempfindliche Fläche (A)
  • 2,7 mm x 1,8 mm (LxB) Chipflächen-Abmessungen
  • 65 ° (typ.) Halbwinkel (φ)
  • 0,6 mA (typ.), 5 nA (max.) Dunkelstrom (IR) (VR = 5 V)
  • 1,20 V (typ.) Durchlassspannung (VF) (IF = 10 mA; E = 0)
  • 11 pF (typ.) Kapazität (C) (VR = 5 V; f = 1 MHz; E = 0)

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Veröffentlichungsdatum: 2025-12-19 | Aktualisiert: 2025-12-19