UCC38C45DGKR

Texas Instruments
595-UCC38C45DGKR
UCC38C45DGKR

Herst.:

Beschreibung:
Schaltregler BiCMOS Low-Power Cur rent Mode A 595-UCC A 595-UCC38C45DGK

ECAD Model:
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
1.20 CHF 1.20 CHF
1.15 CHF 28.75 CHF
1.09 CHF 109.00 CHF
1.05 CHF 262.50 CHF
1.03 CHF 515.00 CHF
1.01 CHF 1 010.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
0.809 CHF 2 022.50 CHF
0.793 CHF 3 965.00 CHF
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Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Tube
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Preis:
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1

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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Schaltregler
RoHS:  
Boost, Buck, Flyback, Forward
1 Output
1 MHz
50 %
18 V
1 A
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
VSSOP-8
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Abfallzeit: 20 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Switching Controllers
Anstiegszeit: 25 ns
Serie: UCC38C45
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück: 26 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542310030
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

UCC28C4x-Q1 Strommodus-PWM-Controller

Texas Instruments UCC28C4x-Q1 Strommodus-PWM-Controller sind erweiterte BiCMOS-Versionen mit Pin-zu-Pin-Kompatibilität zu den UC28C4x Industriestandard-PWM-Controllern. Diese Bauteile bieten zahlreiche Leistungsvorteile mit den erforderlichen Funktionen zur Regelung der Festfrequenz und Spitzenstrommodusversorgungen. Diese Bauteile bieten einen Hochfrequenzbetrieb von bis zu 1 MHz mit geringen Anlauf- und Betriebsströmen. Dadurch werden die Anlaufverluste reduziert und ein niedriger Stromverbrauch bei Betrieb für einen höheren Wirkungsgrad erzielt. Darüber hinaus verfügen die Bauteile über eine schnelle Strommessung zur Ausgangsverzögerungszeit von 35 ns und einen Spitzenausgangsstrom von ±1 A mit verbesserten Anstiegs- und Abfallzeiten für den direkten Antrieb von großen externen MOSFETs.