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LMG3100R017VBER

Name: Texas Instruments LMG3100R017VBER
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3100R017VBER
Price: 10.38 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3100R017VBER

Herst.- Nr.:

LMG3100R017VBER

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

LMG3100R017VBER Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	10.38 CHF	10.38 CHF
	8.13 CHF	81.30 CHF
	7.56 CHF	189.00 CHF
	7.06 CHF	706.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	7.06 CHF	17 650.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-FCRLF-15
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	8 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	LMG3100R017
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Eingangsspannung – Max:	5.25 V
Eingangsspannung – Min:	4.75 V
Logiktyp:	TTL
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	170 uA
Ausgangsspannung:	12 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.7 mOhms
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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Datenblatt

LMG3100R017VBER Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LMG3100R0x GaN-FETs mit integrierten Treibern

Die Galliumnitrid (GaN)-FETs LMG3100R0x von Texas Instruments mit integrierten Treibern sind GaN-FETs mit 1,7 mΩ und Treiber mit High-Side-Pegelwandler und Bootstrap. Zwei LGM3100-Bauteile können zu einer Halbbrücke zusammengeschlossen werden, ohne dass ein externer Pegelwandler erforderlich ist. Die GaN-FET- und Treiberkomponenten verfügen über einen integrierten Unterspannungsschutz (UVLO) für die Versorgungsschiene sowie eine interne Bootstrap-Spannungsbegrenzung, um eine Überspannung der Versorgungsspannung (>5,4 V) zu verhindern. Das Bauteil LMG3100R0x von Texas Instruments bietet einen niedrigen Stromverbrauch und eine verbesserte Benutzeroberfläche. Das Bauteil LMG3100R017 ist eine hervorragende Lösung für Applikationen mit hoher Frequenz und Effizienz, einschließlich Auf-/Abwärtswandler, LLC-Wandler, Solarumrichter, Telekommunikation, Motorantriebe, Elektrowerkzeuge und Audioverstärker der Klasse D.