DRV8300NPWR

Texas Instruments
595-DRV8300NPWR
DRV8300NPWR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 100-V max simple 3-p hase gate driver wi

ECAD Model:
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Gehäuse:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
0.69 CHF 0.69 CHF
0.482 CHF 4.82 CHF
0.432 CHF 10.80 CHF
0.377 CHF 37.70 CHF
0.351 CHF 87.75 CHF
0.336 CHF 168.00 CHF
0.323 CHF 323.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
0.309 CHF 927.00 CHF
0.30 CHF 1 800.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
TSSOP-20
3 Driver
6 Output
750 mA
5 V
20 V
Inverting, Non-Inverting
24 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
DRV8300
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Entwicklungs-Kit: DRV8300DIPW-EVM
Logiktyp: CMOS
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 180 ns
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DRV8300/DRV8300-Q1 Dreiphasen-Gate-Treiber

Die DRV8300/DRV8300-Q1 Dreiphasen-Gate-Treiber von Texas Instruments bieten drei Halbbrücken-Gate-Treiber, die jeweils High- und Low-Side-n-Kanal-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern können. Der DRV8300D/DRV8300D-Q1 erzeugt die richtigen Gate-Drive-Spannungen mit einer integrierten Bootstrap-Diode und einem externen Kondensator für die High-Side-MOSFETs. Der DRV8300N erzeugt die richtigen Gate-Drive-Spannungen mit einer externen Bootstrap-Diode und einem externen Kondensator für die High-Side-MOSFETs. GVDD wird zur Erzeugung einer Gate-Drive-Spannung für die Low-Side-MOSFETs verwendet. Die DRV8300/DRV8300-Q1 Gate-Drive-Architektur von Texas Instruments unterstützt einen Quellen-Spitzenstrom von bis zu 750 mA und einen Senkenstrom von 1,5 A.