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CSD87503Q3E

Name: Texas Instruments CSD87503Q3E
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87503Q3E
Price: 0.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD87503Q3E

Herst.- Nr.:

CSD87503Q3E

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET

Datenblatt:

CSD87503Q3E Datenblatt

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.977 CHF	0.98 CHF
	0.642 CHF	6.42 CHF
	0.532 CHF	53.20 CHF
	0.512 CHF	256.00 CHF
	0.493 CHF	493.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.482 CHF	1 205.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD87503Q3ET

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1.30 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD87503Q3ET

Beschreibung:

MOSFETs 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	17.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.3 V
Qg - Gate-Ladung:	42.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	15.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	24 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	CSD87503Q3E
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	29,200 mg

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Datenblatt

CSD87503Q3E Datenblatt

Models

CSD87503Q3E Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

SPICE Models

CSD85703Q3E Unencrypted PSpice Model

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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