CSD18542KTTT

Texas Instruments
595-CSD18542KTTT
CSD18542KTTT

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT

ECAD Model:
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1.60 CHF 16.00 CHF
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1.60 CHF 80.00 CHF
1.22 CHF 122.00 CHF
1.16 CHF 580.00 CHF
1.14 CHF 1 140.00 CHF
1.11 CHF 2 775.00 CHF
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
200 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
44 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 198 S
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4 ns
Serie: CSD18542KTT
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 6 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
China
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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