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STW55NM60N

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STW55NM60N

Herst.- Nr.:

STW55NM60N

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel 600V Power MDmesh

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

STW55NM60N Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	51 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	60 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	350 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	70 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	STW55NM60N
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	225 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Ausgewählte Attribute: 0

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Datenblatt

STW55NM60N Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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