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STDRIVEG612QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG612QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG612QTR
Price: 3.89 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STDRIVEG612QTR

Herst.- Nr.:

STDRIVEG612QTR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Datenblatt:

STDRIVEG612QTR Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	3.89 CHF	3.89 CHF
	3.50 CHF	35.00 CHF
	3.01 CHF	75.25 CHF
	2.69 CHF	269.00 CHF
	2.25 CHF	562.50 CHF
	2.17 CHF	1 085.00 CHF
	1.72 CHF	1 720.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.46 CHF	4 380.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Driver
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-18
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	3 Output
Ausgangsstrom:	1.8 A
Versorgungsspannung - Min.:	10.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	22 ns
Abfallzeit:	13 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	65 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	65 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsspannung:	520 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	65 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.8 Ohms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Handelsname:	STDRIVE

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Datenblatt

STDRIVEG612QTR Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STDRIVEG612 600 V Halbbrücken-Gate-Treiber

Der 600 V High-Speed-Halbbrücken-Gate-Treiber STDRIVEG612 von STMicroelectronics ist für 5-V-gesteuerte, selbstsperrende GaN-HEMTs optimiert. Der High-Side-Treiberabschnitt ist für eine Spannungsschiene von bis zu 600 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrapdiode versorgt werden. Dank seiner Hochstromfähigkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen mit exzellenter Laufzeitanpassung und integrierten LDOs ist der STDRIVEG612 für die Ansteuerung von High-Speed-GaN optimiert.