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STAC4932B

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STAC4932B

Herst.- Nr.:

STAC4932B

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren RF PWR 1000w/m 26dB N-Ch 123 MHz VHF/UHF

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Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

STAC4932B Datenblatt (PDF)

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Versandmeldung:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	1 mA
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Betriebsfrequenz:	250 MHz
Verstärkung:	26 dB
Ausgangsleistung:	1.2 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	STAC244B
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6 S
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Serie:	STAC4932B
Verpackung ab Werk:	80
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 20 V
Gewicht pro Stück:	2,100 g

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Datenblatt

STAC4932B Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STAC4932B RF Power Transistors

STMicroelectronics STAC4932B RF power transistors are designed for use in 100 V pulse applications up to 250 MHz. STMicroelectronics STAC4932B RF power transistors feature excellent thermal stability and common source push-pull configuration. These STMicroelectronics N-channel field-effect RF power transistors benefit from highly efficient STAC® (ST Air Cavity) packaging technology.
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