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M1F80M12W2-1LA

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-M1F80M12W2-1LA

Herst.- Nr.:

M1F80M12W2-1LA

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET-Module Automotive ACEPACK DMT-32 fourpack topology 1200V 78 mOhm SiC Power MOSFET, NTC

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

M1F80M12W2-1LA Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET-Module
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	DMT-32
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	108 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Höhe:	5.7 mm
Länge:	44 mm
Produkt:	Power Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung ab Werk:	11
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Breite:	27.4 mm
Gewicht pro Stück:	13 g

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

M1F80M12W2-1LA ACEPACK DMT-32 SiC-Leistungsmodul

Das STMicroelectronics M1F80M12W2-1LA ACEPACK DMT-32 SiC-Leistungsmodul verfügt über eine Vierpack-Topologie, eine Sperrspannung von 1.200 V und einen niedrigen statischen drain-source-Einschaltwiderstand von 78 mΩ R_{DS (on)}. Das ACEPACK DMT-32 Design bietet eine all-in-one-Lösung mit höherer Leistungsdichte und höherem Wirkungsgrad. Spezielle Rillen auf dem Modul tragen zur Verbesserung der Kriechstrecke bei, während das isolierte Aluminiumnitrid (AIN) -Substrat eine verbesserte thermische Leistung bietet. Weitere Funktionen umfassen einen integrierten NTC-sensor, einen SiC-Gen2-Leistungsschalter, eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C und eine AQG-324-Qualifizierung nach Automobilstandard. Das M1F80M12W2-1LA Leistungsmodul eignet sich hervorragend für On-Board-Ladegeräte (OBCs) und DC/DC-Hilfswandler in Elektrofahrzeugen (EVs) und Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEVs).