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2SCR372PT100R

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-2SCR372PT100R

Herst.- Nr.:

2SCR372PT100R

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

2SCR372PT100R Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MPT-3
Transistorpolung:	NPN
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	120 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	120 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	220 MHz
Serie:	2SCR372P
Verpackung:	Reel
Marke:	ROHM Semiconductor
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	120
DC Stromverstärkung hFE max.:	390 mA
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

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PCN

Product Change Notification (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Nicht lieferbar
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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