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QPD1028

Name: Qorvo QPD1028
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1028
Price: 1918.07 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD1028

Herst.- Nr.:

QPD1028

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl

ECAD Model:

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	NI-780
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	65 V
Id - Drain-Gleichstrom:	19 A
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	400 W
Marke:	Qorvo
Verstärkung:	19.8 dB
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	750 W
Verpackung:	Waffle
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	QPD1028
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN SiC
Transistorart:	HEMT

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Konformitätscodes

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

QPD1028 und QPD1028L 750 W-GaN-auf-SiC-Transistoren

Qorvo QPD1028 und QPD1028L 750 W-GaN-auf-SiC-Transistoren sind diskrete -Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-HEMT (High-Electron-Mobility Transistoren), die von 1,2 GHz bis 1,4 GHz betrieben werden. Diese Bauteile bieten eine gesättigte Ausgangsleistung von 59 dBm mit einer großen Signalverstärkung von 18 dB und einem Drain-Wirkungsgrad von 70 %. Die QPD1028 und QPD1028L Transistoren sind intern für eine optimale Leistung vorabgestimmt und können sowohl kontinuierliche Wellen- als auch gepulste Betriebsabläufe unterstützen.