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IRFB7730PBF

Name: Infineon IRFB7730PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRFB7730PBF
Price: 3.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRFB7730PBF

Herst.- Nr.:

IRFB7730PBF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power

Datenblatt:

IRFB7730PBF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1.60 CHF	16.00 CHF
	1.45 CHF	145.00 CHF
	1.19 CHF	595.00 CHF
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	75 V
Id - Drain-Gleichstrom:	195 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.7 V
Qg - Gate-Ladung:	271 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	StrongIRFET
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	115 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	249 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	120 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	180 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IRFB7730PBF Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Saber Model - IRFS7730PBF (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRFS7730PBF

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Israel
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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