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IMZA65R050M2HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R050M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R050M2HXKS
Price: 6.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMZA65R050M2HXKS

Herst.- Nr.:

IMZA65R050M2HXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Datenblatt:

IMZA65R050M2HXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	38 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	62 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	153 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4.4 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	7.6 ns
Serie:	650V G2
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	13.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.1 ns
Artikel # Aliases:	IMZA65R050M2H

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Datenblatt

IMZA65R050M2HXKSA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CoolSiC™ 650 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies nutzen das Betriebsverhalten von Siliciumcarbid und reduzieren Energieverluste, was zu einem höheren Wirkungsgrad während der Leistungsumwandlung führt. Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies bieten Vorteile für verschiedene Halbleiter-Energieanwendungen, wie Photovoltaik, Energiespeicher, DC-EV-Ladestationen, Motorantriebe und industrielle Stromversorgung. Eine DC-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge, die mit CoolSiC G2 ausgestattet sind, ermöglicht bis zu 10 % weniger Leistungsverlust als frühere Generationen und gleichzeitig eine höhere Speicherkapazität ohne Kompromisse bei den Formfaktoren.

CoolSiC™ G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 Siliciumcarbid -MOSFETs ermöglichen ein hervorragendes Betriebsverhalten von SiC und erfüllen gleichzeitig höchste Qualitätsstandards in allen gängigen Stromversorgungskombinationen (AC-DC, DC/DC und DC-AC). SiC -MOSFETs bieten im Vergleich zu Si-Alternativen ein höheres Betriebsverhalten für Photovoltaik- Umrichter Energiespeichersysteme, Ladeinfrastruktur-Speicher Elektrofahrzeuge, Stromversorgungen und Motorantriebe. Infineon CoolSiC G2 MOSFETs erweitern die einzigartige XT-Verbindungstechnologie (z. B. in diskreten Gehäusen TO-263-7, TO-247-4), die die gemeinsame Herausforderung der Verbesserung der Halbleiterchip-Leistung bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der thermischen Leistungsfähigkeit überwindet. Die thermische Leistungsfähigkeit des G2 ist 12 % besser, wodurch die Leistungskennzahlen des Chips auf ein robustes Niveau des SiC Betriebsverhalten angehoben werden.