IXTT90P10P

IXYS
747-IXTT90P10P
IXTT90P10P

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -90.0 Amps -100V 0.250 Rds

ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
IXTT90P10
Marke: IXYS
Kanalmodus: Enhancement
Konfiguration: Single
Id - Drain-Gleichstrom: 90 A
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Montageart: SMD/SMT
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Verpackung/Gehäuse: D3PAK-3 (TO-268-3)
Verpackung: Tube
Pd - Verlustleistung: 462 W
Produkt-Typ: MOSFETs
Qg - Gate-Ladung: 120 nC
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 25 mOhms
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: Si
Transistorpolung: P-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 100 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 4 V
Gewicht pro Stück: 4,500 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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