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IXTA200N085T

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTA200N085T

Herst.- Nr.:

IXTA200N085T

Herst.:

IXYS

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Herst.:

IXYS

Herst.- Nr.:

IXTA180N10T

Beschreibung:

MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	85 V
Id - Drain-Gleichstrom:	200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	480 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	64 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	80 ns
Serie:	IXTA200N085
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	32 ns
Gewicht pro Stück:	1,600 g