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IXFX52N60Q2

IXYS

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFX52N60Q2

Herst.- Nr.:

IXFX52N60Q2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 52 Amps 600V 0.12 Rds

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IXFX52N60Q2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	22.71 CHF	22.71 CHF
	18.18 CHF	181.80 CHF
	15.72 CHF	1 886.40 CHF
	14.88 CHF	7 588.80 CHF
1 020	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	52 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	115 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	735 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HyperFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Serie:	IXFX52N60
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	56 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Ausgewählte Attribute: 0

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Datenblatt

IXFX52N60Q2 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Nicht lieferbar
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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