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IXFN64N50P

Name: IXYS IXFN64N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN64N50P
Price: 28.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN64N50P

Herst.- Nr.:

IXFN64N50P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 500V 64A

Datenblatt:

IXFN64N50P Datenblatt

ECAD Model:

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	28.67 CHF	28.67 CHF
	23.75 CHF	237.50 CHF
	21.02 CHF	2 102.00 CHF
	20.75 CHF	10 375.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	61 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	700 W
Serie:	IXFN64N50
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	22 ns
Höhe:	9.6 mm
Länge:	38.23 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	25 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Breite:	25.42 mm
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN64N50P Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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