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LF2388BTR

Name: IXYS LF2388BTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF2388BTR
Price: 2.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-LF2388BTR

Herst.- Nr.:

LF2388BTR

Herst.:

IXYS Integrated Circuits

Beschreibung:

Gate-Treiber 3-Phase Half-Bridge DRVR 270mA SOIC-20

Datenblatt:

LF2388BTR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Gehäuse:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.28 CHF	2.28 CHF
	1.70 CHF	17.00 CHF
	1.56 CHF	39.00 CHF
	1.39 CHF	139.00 CHF
	1.32 CHF	330.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	1.32 CHF	1 980.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	3-Phase / Three Phase
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-20
Anzahl der Treiber:	3 Driver
Anzahl der Ausgänge:	6 Output
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	45 ns
Abfallzeit:	25 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	IXYS Integrated Circuits
Logiktyp:	CMOS, TTL
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	500 uA
Pd - Verlustleistung:	1.47 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	50 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LF2388BTR Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

TARIC:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs

Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS umfassen Hochspannungs-Gate-Treiber mit hoher Geschwindigkeit und dreiphasige Gate-Treiber-ICs. Diese Bauteile sind für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration oder High-Side/Low-Side-Konfiguration ausgelegt. Die Hochspannungstechnologie ermöglicht es, die Hochspannungsseite im Bootstrap-Betrieb auf 600 V zu schalten. Die Treiber bieten Puffer mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querströme ausgelegt sind. Zu den weiteren Merkmalen gehören Logikschaltungen mit 3,3-V-Fähigkeit, Schmitt-getriggerte Logikeingänge und UVLO-Schutz (Unterspannungssperre). Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS arbeiten über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.